加入收藏
 免費注冊
 用戶登陸
首頁 展示 供求 職場 技術 應用 職業 活動 觀察 品牌 ReaderBank
今天是:2020年5月7日 星期四   您現在位于: 首頁 →  技術 → 半導體器件(技術聚焦)
650V GaN FET——從研發邁向產業化
2019-11-21 17:11:26    
隨著安世半導體(nexperia)發布首款650V GaN-on-Si FET,我們快速回顧了這項技術從研發邁向產業化的歷程。從大約10年前對GaN潛力的初步研究,到如今克服GaN-on-Si的挑戰并投入生產。我們相信這項技術已經準備好提供電源轉換效率和功率密度,這對汽車和物聯網的發展至關重要。
 
任何研究人員或技術開發人員都會告訴你,讓一項新技術走出實驗室并投入到大規模批量生產一般要花費10年或更多時間。很顯然,氮化鎵(GaN)FET便是如此。自從20世紀90年代開始,盡管這種III-V直接帶隙半導體材料廣泛應用于發光二極管(LED),但在主流功率晶體管方面的應用卻并不順利。
 
在安世半導體,大約10年前我們就開始研究GaN的潛力,那時安世半導體還是恩智浦的一個部門。加上它在光電子學中的應用,這種物理性能穩定的化合物半導體為高頻大功率設備提供了許多明顯的性能優勢。這項技術不僅能輕易地比體硅處理更高的電壓,而且還具有高熱容量和熱導率。因此,在很多方面,對650V高功率FET而言,這都是一項理想的技術。
 

克服GaN-on-Si的挑戰

 
當然,在GaN用于主流高功率FET之前,還需要克服大量的挑戰。首先,從制造業方面來看,III-V半導體的加工成本往往很高。能夠成功地在尺寸較大的硅基片增加較厚的GaN外延層,并獲得適當的外延性能,這是使標準150mm(6英寸)晶圓用于初級生產的關鍵。這可以為真正的批量生產提供所需的可擴展性和降低成本的指標。
 
從FET方面來看,處理動態RDSon等問題對于實現客戶需要的設備性能至關重要。結果導致極低的開關品質因數(RDSon x Qgd)和反向恢復電荷(Qrr)支持高開關頻率,同時提供較低的功耗和更高效的功率轉換。
 
當然,對于批量生產而言,每臺設備都需要可靠地完成它的任務。因此,在安世半導體,我們利用自身經驗推動汽車MOSFET測試,在關鍵可靠性測試中超過了AEC-Q101要求的兩倍。這意味著我們花費大量時間重復測試GaN設備,以確保它們在生命周期內能夠可靠運轉。
 
最后,我們需要從應用/拓撲的角度來看待GaN-on-Si FET的優勢,這點至關重要。安世半導體能夠表征功能性設備,并了解它們在各種拓撲中的運行情況。這使得我們能夠建立理解和內部經驗,以支持客戶并使GaN成為一項主流功率半導體技術。

 
650V GaN FET的理想時機

 
安世半導體發布的首款650V GaN FET完全符合對高功率FET不斷增長的需求。我們的首批設備將為高端電源提供所需的性能和效率提升,以降低工業自動化、數據中心和電信基礎設施中的功率損耗。隨著我們繼續開發包括表面貼裝在內的汽車合格設備,GaN-on-Si FET較高的功率密度和效率將會不斷促進動力系統的電氣化。
 
GaN最終完成了從研發到產業化的歷程,開始發揮其作為主流功率晶體管技術的潛力。查詢進一步信息,請訪問官方網站http://www.nexperia.cn/products/。(Lisa WU, 365PR Newswire)
→ 『關閉窗口』
 365pr_net
 [ → 我要發表 ]
上篇文章:當下公認的MOSFET品質因數失效了嗎?
下篇文章:通用閃存存儲協會(UFSA)
→ 主題所屬分類:  半導體器件 → 技術聚焦
 熱門文章
 如何申請EtherCAT技術協會(ETG)會員資格 (100210)
 USB-IF Members Company List (62543)
 臺北國際計算機展(COMPUTEX 2015)參展商名… (60074)
 上海市集成電路行業協會(SICA) (52691)
 中國130家太陽能光伏組件企業介紹(3) (49264)
 臺北國際計算機展(COMPUTEX 2015)參展商名… (48032)
 蘋果授權MFi制造商名單-Authorized MFi Lic… (42781)
 中國130家太陽能光伏組件企業介紹(2) (42519)
 第十七屆中國專利優秀獎項目名單(507項) (41138)
 中國130家太陽能光伏組件企業介紹(4) (41052)
 最近更新
 適合USB4規范的Nexperia ESD保護 (4月13日)
 分辨率約3386萬像素的8K技術 (4月4日)
 Eyesafe顯示標準 (3月6日)
 如何用升壓放大器“提升”低壓電源設備的音頻響度 (3月5日)
 中國信通院發布數字健康技術疫情防控應用案例集(第… (3月2日)
 采用Foveros 3D封裝技術的英特爾Lakefield… (2月19日)
 MPEG LA, LLC (1月19日)
 通用閃存存儲協會(UFSA) (1月8日)
 650V GaN FET——從研發邁向產業化 (11月21日)
 當下公認的MOSFET品質因數失效了嗎? (11月21日)
 文章搜索
搜索選項:            
  → 評論內容 (點擊查看)
您是否還沒有 注冊 或還沒有 登陸 本站?!
關于我們 ┋ 免責聲明 ┋ 廣告服務 ┋ 與我在線 ┋ 聯系我們 ┋ About 365PR ┋ Join 365PR
Copyright @ 2005-2025 365PR Newswire. All Rights Reserved. 深圳市產通互聯網有限公司 版權所有
E-mail:readerbank#126.com 不良信息舉報 備案號:粵ICP備06070889號
大唐棋牌麻将微信群 山东11走势图一定牛 江苏快3开奖直播图 山东11选5第18080631期 青海快三注册链接 湖北体彩11选5一定牛 公众平台投票规则说明 精准三码免费提前公开 安徽快3开奖遗漏数据 安徽11选五最大遗漏 山西快乐十分中奖规则